1：EM78P372N是采用低功耗高速CMOS工藝設計開發(fā)的8位微控制器。該控制器有片內(nèi)2KX13位一次性編程
ROM(OPT-ROM)。它提供一個保護位用以保護用戶在OTP存儲器內(nèi)的程序不被讀取，三個代碼選項以滿足
用戶的需要。
基于增強的OTP-ROM特性，EM78P372N可方便地開發(fā)和校驗用戶代碼，另外，使用開發(fā)與編程工具，使
此OTP代碼更新更加簡單和有效，用戶可利用義隆燒錄器很容易地燒錄其開發(fā)代碼。

2  產(chǎn)品特性
?  CPU 配置
•2K×13 位片內(nèi)ROM
•80×8位片內(nèi)寄存器(SRAM)
•8級堆棧用于子程序嵌套
•4級可編程電壓檢測(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V
•3級可編程電壓復位(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V
•5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于1.5 mA
•3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為15 µA
•  休眠模式下耗電流典型值為2 µA
?  I/O 端口配置
•3 組雙向I/O端口: P5, P6, P7
•18 I/O 引腳
•  喚醒端口: P5
•8 個可編程下拉I/O引腳
•16 個可編程上拉I/O引腳
•8 個可編程漏極開路I/O引腳
•14 個可編程高灌I/O引腳
•  外部中斷: P60
?  工作電壓范圍:
•2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商規(guī))
• 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工規(guī))
?  工作頻率范圍(基于2個時鐘周期):
•  晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
•ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
•IRC 模式
振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
偏移率
內(nèi)部RC
頻率  溫度
(-40°C~85°C)
電壓
(2.1V~5.5V)
制程  Total
4 MHz  ±2%  ±1%  ±2%  ±5%
16 MHz  ±2%  ±1%  ±2%  ±5%
8 MHz  ±2%  ±1%  ±2%  ±5%
1 MHz  ±2%  ±1%  ±2%  ±5%
?  以上四個主頻都可通過編程設置ICE300N仿真器的四個
校正位來校正，OTP可由義隆燒錄器自動校正。

封裝類型:
•  10-pin MSOP 118mil  :  EM78P372NMS10J/S
•  10-pin SSOP 150mil  :  EM78P372NSS10J/S
•  14-pin DIP 300mil  :  EM78P372ND14J/S
•  14-pin SOP 150mil  :  EM78P372NSO14J/S
•  16-pin SOP 150mil  :  EM78P372NSO16AJ/S
•  18-pin DIP 300mil  :  EM78P372ND18J/S
•  18-pin SOP 300mil  :  EM78P372NSO18J/S
•  20-pin DIP 300mil  :  EM78P372ND20J/S
•  20 pin SOP 300mil  :  EM78P372NSO20J/S
•  20 pin SSOP 209mil  :  EM78P372NSS20J/S